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共射極放大電路反饋類(lèi)型和作用解析
共射放大電路的反饋類(lèi)型通常是電壓負(fù)反饋(Voltage Negative Feedback)。在共射放大電路中,將輸出信號(hào)通過(guò)一個(gè)反饋電阻連接到輸入信號(hào)源或輸入信號(hào)路徑,形成負(fù)反饋回路。負(fù)反饋通過(guò)將部分輸出信號(hào)反向傳輸回輸入端,可以對(duì)電路的增益、輸入/輸出阻抗、非線性失真等性能進(jìn)行有效控制和調(diào)節(jié)。
2024-01-25
共射極 放大電路
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詳解多路復(fù)用器濾波器
多路復(fù)用器是一組射頻(RF)濾波器,它們組合在一起,但不會(huì)彼此加載,可以在輸出之間實(shí)現(xiàn)高度隔離。多路復(fù)用器被用于RF前端中靠近功率放大器(PA)的位置,對(duì)于載波聚合(CA)產(chǎn)生很大影響;天線復(fù)用器被用在射頻前端后面,以簡(jiǎn)化與天線之間的路由。
2024-01-25
多路復(fù)用器 濾波器
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測(cè)試方法
雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例,如下圖,通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間,可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開(kāi)關(guān)性能,并...
2024-01-24
I-NPC 三電平電路 雙脈沖 短路測(cè)試
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利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端MOSFET輸入開(kāi)關(guān)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)
在無(wú)線收發(fā)器等應(yīng)用中,系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù),此類(lèi)應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無(wú)活動(dòng)或掛起后,需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位,可以切斷電源電壓,斷開(kāi)系統(tǒng)電源,然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。
2024-01-24
低電平 高端MOSFET 系統(tǒng)電源循環(huán) 輸入開(kāi)關(guān)
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10BASE-T1L MAC-PHY如何簡(jiǎn)化低功耗處理器以太網(wǎng)連接
隨著越來(lái)越多的設(shè)備需要接入以太網(wǎng),流程、工廠和樓宇自動(dòng)化應(yīng)用中的單對(duì)以太網(wǎng)10BASE-T1L用例(包括以太網(wǎng)APL)不斷擴(kuò)展。隨著互聯(lián)設(shè)備增加,更高級(jí)別的管理系統(tǒng)可以使用更豐富的數(shù)據(jù)集,從而使生產(chǎn)效率得以顯著提高,同時(shí)降低了運(yùn)營(yíng)成本和能耗。
2024-01-23
MAC-PHY 處理器 以太網(wǎng)
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機(jī)電執(zhí)行器需要智能集成驅(qū)動(dòng)器解決方案以增強(qiáng)邊緣智能
為了增強(qiáng)邊緣智能,機(jī)電執(zhí)行器需要智能和高度集成的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這些智能邊緣設(shè)備融合了執(zhí)行器和傳感器功能,支持在機(jī)器層面更好地進(jìn)行實(shí)時(shí)決策,并向更高的控制層級(jí)、云或AI生產(chǎn)力解決方案提供原位反饋信息。本文討論了模擬和數(shù)字技術(shù)交匯之處——智能邊緣的智能驅(qū)動(dòng)器解決方案和技術(shù)。
2024-01-23
機(jī)電執(zhí)行器 集成驅(qū)動(dòng)器 邊緣智能
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低 IQ 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高效的電源管理
隨著電子技術(shù)和系統(tǒng)的迅猛發(fā)展,電池如今可謂是無(wú)處不在,為包括個(gè)人電子設(shè)備和電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在內(nèi)的各種設(shè)備供電。轉(zhuǎn)向電池電源的趨勢(shì)沒(méi)有減緩的跡象,與此同時(shí),設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)仍然存在,那就是如何在更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的電池性能。
2024-01-22
低 IQ 技術(shù) 電源管理
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為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量
半導(dǎo)體行業(yè)一直專(zhuān)注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升,制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯。刻蝕終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類(lèi)終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響。
2024-01-22
刻蝕設(shè)備 傳感器 計(jì)量學(xué)測(cè)量
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高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器提升電機(jī)運(yùn)作的穩(wěn)定性與安全性
在電機(jī)應(yīng)用中,必須采用逆變器或轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換,采用高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器,將有助于提升電機(jī)運(yùn)作的穩(wěn)定性與安全性,這對(duì)高功率、高速電機(jī)系統(tǒng)尤為重要。本文將為您介紹IGBT/MOSFET/SiC/GaN柵極驅(qū)動(dòng)DC-DC轉(zhuǎn)換器的相關(guān)技術(shù),以及由Murata(村田制作所)所推出的一系列高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器的功能特性。
2024-01-19
DC/DC轉(zhuǎn)換器 電機(jī)
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