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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至萬(wàn)分之一, 因此通常用分貝(dB)來(lái)表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
2019-08-06
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MOS管簡(jiǎn)介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。
2019-08-05
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CMOS電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
靜電放電(ESD - ElectroStatic Discharge)會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果,是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,CMOS電路的尺寸不斷縮小,管子的柵氧厚度越來(lái)越薄,芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小,而外圍的使用環(huán)境并未改變,因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能。
2019-08-05
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簡(jiǎn)要分析晶體振蕩器的作用以及選擇要求
關(guān)于晶體振蕩器,其英文名稱為quartz crystal oscillator,也就是我們經(jīng)常說(shuō)的晶振,當(dāng)然咯,也有將其稱為有源晶振的。它能夠產(chǎn)生中央處理器(CPU)執(zhí)行指令所必須的時(shí)鐘頻率信號(hào),CPU一切指令的執(zhí)行都是建立在這個(gè)基礎(chǔ)上的,時(shí)鐘信號(hào)頻率越高,通常CPU的運(yùn)行速度也就越快。
2019-07-19
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CMOS觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)與工作原理
觸發(fā)器,學(xué)名雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器(Bistable?Multivibrator),是一種應(yīng)用在數(shù)字電路上具有記憶功能的循序邏輯組件,可記錄二進(jìn)位制數(shù)字信號(hào)“1”和“0”。觸發(fā)器是構(gòu)成時(shí)序邏輯電路以及各種復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的基本邏輯單元。
2019-07-18
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四管同步升降壓變換器工作原理及設(shè)計(jì)相關(guān)問(wèn)題
四管同步BuckBoost升降壓變換器為單電感結(jié)構(gòu),不需要耦合電容,盡管系統(tǒng)需要四個(gè)開(kāi)關(guān)管,控制相比較復(fù)雜,但由于采用同步的變換器,系統(tǒng)的效率比SEPIC高,而且體積比SEPIC小,非常適用于汽車及通訊這類系統(tǒng)的效率和體積要求嚴(yán)格的應(yīng)用。下面本文將討論這種四管同步BuckBoost升降壓變換器的具體的工作原理及設(shè)計(jì)過(guò)程的相關(guān)問(wèn)題。
2019-07-12
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晶體管以類似水龍頭控制水流的方式控制電流
晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor,BJT)又稱晶體三極管,簡(jiǎn)稱三極管,是一種固體半導(dǎo)體器件,可用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等。
2019-07-08
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深度解析Portable Stimulus:UVM集成
PSS和UVM的集成在一起不同于將兩種語(yǔ)言進(jìn)行集成。本文將列出這種集成的基本策略,以盡可能通用的語(yǔ)言來(lái)描述集成的六個(gè)步驟以及本文會(huì)詳細(xì)介紹前三個(gè)步驟。
2019-07-06
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交流固態(tài)繼電器的特點(diǎn)
交流固態(tài)繼電器ssr(solid state releys)是一種無(wú)觸點(diǎn)通斷電子開(kāi)關(guān),它利用電子元件(如開(kāi)關(guān)三極管、雙向可控硅等半導(dǎo)體器件)的開(kāi)關(guān)特性,可達(dá)到無(wú)觸點(diǎn)無(wú)火花地接通和斷開(kāi)電路的目的,為四端有源器件,其中兩個(gè)端子為輸入控制端,另外兩端為輸出受控端。
2019-06-27
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一文帶你讀懂MOSFET
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2019-05-30
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PHIIDF 2019|第一視角洞察智能產(chǎn)業(yè)生態(tài)
轉(zhuǎn)眼間,菲尼克斯電氣年度活動(dòng)——菲尼克斯電氣創(chuàng)新與行業(yè)發(fā)展論壇PHIIDF(Phoenix Contact Innovation and Industry Development Forum)已經(jīng)走過(guò)六個(gè)年頭,從最初的行業(yè)技術(shù)交流平臺(tái),已經(jīng)發(fā)展成為中國(guó)電氣和工控領(lǐng)域的頂級(jí)盛會(huì)。
2019-05-23
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這些只有PCB設(shè)計(jì)制造內(nèi)行人才明白的黑話你知道嗎?
Test Coupon,是用來(lái)以 TDR (Time Domain Reflectometer 時(shí)域反射計(jì)) 來(lái)測(cè)量所生產(chǎn)的 PCB 的特性阻抗是否滿足設(shè)計(jì)的要求,一般要控制的阻抗有單端線和差分對(duì)兩種情況,所以 test coupon 上的走線線寬和線距(有差分對(duì)時(shí))要與所要控制的線一樣,最重要的是測(cè)量時(shí)接地點(diǎn)的位置。
2019-05-20
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