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超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2023-12-18 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的核心設(shè)備,實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無(wú)線終端之間的無(wú)線信號(hào)傳輸,5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設(shè)備功耗大,采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義,5G電源就是指5G通訊設(shè)備專用電源。


一、前言 


5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的核心設(shè)備,實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無(wú)線終端之間的無(wú)線信號(hào)傳輸,5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設(shè)備功耗大,采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義,5G電源就是指5G通訊設(shè)備專用電源。


5G基站電源,分兩大主流:目前,5G基站供電系統(tǒng)有兩大主流,一是UPS供電系統(tǒng),二是HVDC 供電系統(tǒng)。5G基站電源的發(fā)展趨勢(shì)主要向著解決方案小型化、高頻化、高可靠性以及效率提升的目標(biāo)前進(jìn)。


超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用 


二、典型應(yīng)用拓?fù)?nbsp;


針對(duì)MOS管在5G電源上的應(yīng)用,推薦瑞森半導(dǎo)體兩款產(chǎn)品系列;


在PFC線路和Flyback線路,推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET系列:

由原深溝槽工藝革新成多層外延工藝,具有低導(dǎo)通電阻,優(yōu)異EMI特性,低損耗,高效率,低溫升等特性。能夠顯著降低高電壓下單位面積的導(dǎo)通電阻,進(jìn)而降低導(dǎo)通損耗。同時(shí),超結(jié)MOSFET擁有極低的FOM值,從而擁有極低的開(kāi)關(guān)能量損耗和驅(qū)動(dòng)能量損耗。


為適應(yīng)電源系統(tǒng)高效率小型化的需求,同步整流線路圖推薦使用瑞森半導(dǎo)體低壓SGT MOS系列:

采用SGT溝槽屏蔽柵設(shè)計(jì)及工藝制造技術(shù),具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性及更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率等優(yōu)點(diǎn)。


超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用 


三、推薦產(chǎn)品選型 


針對(duì)5G線路圖的PFC線路和Flyback線路,推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET系列。


超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用 


為適應(yīng)電源系統(tǒng)高效率小型化的需求,同步整流線路推薦使用瑞森半導(dǎo)體低壓SGT MOS系列。


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