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DS4560:Maxim具有自我保護及重啟功能的熱插拔開關(guān)
Maxim推出具有自我保護及重啟功能的完全集成熱插拔開關(guān)DS4560。器件極大地減少了12V供電背板系統(tǒng)中保證安全插入和拔出操作所需的元件數(shù)量。為減小方案尺寸、簡化設(shè)計,DS4560集成了25mΩ n溝道功率MOSFET,從而省去了外部MOSFET。DS4560專為12V系統(tǒng)而設(shè)計,是企業(yè)級硬盤驅(qū)動器、服務(wù)器/路由器、PCI E...
2008-11-25
DS4560 熱插拔開關(guān) PCIe InfiniBand MOSFET
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高性能IGBT提高太陽能逆變器效率
飛兆半導(dǎo)體的截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽能逆變器以及微波爐和感應(yīng)加熱類的應(yīng)用,可以幫助設(shè)計師減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,實現(xiàn)極高的效率。
2008-11-25
太陽能 逆變器 IGBT
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特許半導(dǎo)體CEO:目前談合并太“冒失”
日前到訪我國臺灣省的新加坡特許半導(dǎo)體(Chartered Semiconductor Manufacturing)首席執(zhí)行官Song-Hwee Chia否認了此行是為了接洽與其他半導(dǎo)體廠商進行合并事宜。Song-Hwee Chia表示對所謂的“合并大計”并不知情,不過他也沒有完全排除未來的形勢有往這個方向發(fā)展的可能。
2008-11-25
Song-Hwee Chia 半導(dǎo)體 合并
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IC S-5711A系列:日本精工最新磁性開關(guān)
日本精工電子有限公司(SII)日前推出磁性開關(guān)ICS-5711A系列。S-5711A系列是彩用CMOS技術(shù)開發(fā)的高靈敏度、低消耗電流的霍爾IC(磁性開關(guān)IC)。可檢測出磁束密度的強度,使輸出電壓發(fā)生變化。通過與磁石的組合,可進行各種設(shè)備的開/關(guān)檢測。
2008-11-25
S-5711A系列 磁性開關(guān)
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歐姆龍(廣州)汽車電子有限公司二期工廠破土動工
10月初,歐姆龍(廣州)汽車電子有限公司的二期工廠破土動工,預(yù)計于2009年9月竣工。二期工廠占地面積為20,000平米。該工廠的建成,對于歐姆龍(廣州)汽車電子有限公司事業(yè)的發(fā)展有著至關(guān)重要的意義。二期工廠將進行新產(chǎn)品EPS(Electric Power Steering)的生產(chǎn)。
2008-11-24
EPS 汽車電子
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中科三環(huán):受益風(fēng)電高增長
中科三環(huán)作為國內(nèi)釹鐵硼產(chǎn)業(yè)的龍頭老大,有能力生產(chǎn)直驅(qū)永磁風(fēng)電電機,當(dāng)前已經(jīng)獲得了金風(fēng)科技等風(fēng)電廠家的產(chǎn)品技術(shù)認證,受益風(fēng)電產(chǎn)業(yè)高增長。
2008-11-24
電機 風(fēng)電 磁性材料
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四萬億重投高鐵建設(shè),元器件企業(yè)和工程師的機遇與挑戰(zhàn)
四萬億已經(jīng)成為最近一段時間的流行語,這四萬億投資中很大一部分將流入高速鐵路建設(shè)領(lǐng)域,電子行業(yè)作為現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)保障性行業(yè),自然不會缺席這場規(guī)模空前投資盛宴,建設(shè)高速鐵路,需要現(xiàn)代化的路網(wǎng)指揮系統(tǒng)、現(xiàn)代化的高速機車,這些都和電子元器件尤其是大功率電力電子器件密不可分,為相關(guān)的元...
2008-11-21
高速鐵路 機車 IGBT GTO 連接器 光纖 光連接器
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觸摸控制引領(lǐng)時尚
從銀行柜員機、到新潮的手機和家用電器,我們身邊采用觸摸控制的電子設(shè)備越來越多。觸摸傳感技術(shù)有以下很多優(yōu)點,例如,無須機械按鈕和滑板;提供使用方便、直觀的“指尖控制”接口;減少機械磨損,提高可靠性;為產(chǎn)品設(shè)計者提供更大靈活性;減少整體系統(tǒng)成本。
2008-11-21
AT42QT4120 AT42AT4160 MPR031 觸摸控制 觸摸傳感技術(shù) Two Touch
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP:Vishay新型第三代功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出一款新型 20V n 通道器件,擴展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝,在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
SiR440DP SiR866DP SiR890DP MOSFET Siliconix
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