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更多SiC FET選項意味著能更靈活地選擇劃算的解決方案

發(fā)布時間:2022-03-19 來源:UnitedSiC 責任編輯:wenwei

【導讀】在設計功率轉換器的過程中需要權衡大量參數(shù)。UnitedSiC通過自己的FET-JET計算器和多種零件讓評估變得簡單易行。


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平衡行為在生活中無處不在,這讓決策變得困難。如果涉及金錢,則會引入另一個維度,比如如果我購買電動車,多花的錢能不能帶來回報?多長時間能回報?減少CO2排放有多大價值?什么型號殘值最高?決定因素可能是主觀的,并會動態(tài)變化,但是當您選擇半導體進行電動車功率轉換器設計時,您會希望您的選擇更科學。


如果您做出明智選擇,并決定使用UnitedSiC生產(chǎn)的寬帶隙SiC FET,就需要進行權衡考慮,如考慮并聯(lián)器件的數(shù)量和額定值、開關頻率、運行模式、效率目標、可接受的結溫上升、導電損耗和開關損耗的分攤、成本等等。外部因素通常也會縮小選擇范圍,例如,3.6kW的圖騰柱功率因數(shù)校正級,它用于電動車充電器中,通常能生成400V電壓,在60kHz左右運行,在持續(xù)導電模式下有20%左右的電感電流紋波。鑒于這些條件,“快速”支路中的750V SiC FET由于低損耗而成為出色的選擇,導通電阻低至6毫歐。在現(xiàn)實生活中,成本永遠是一個問題,因此我們是否可以放棄控制部分損耗以讓零件的成本更低?UnitedSiC利用在線FET-JET計算器讓評估變得簡單易行,它允許您從眾多功率轉換拓撲結構和運行條件中進行選擇,進而計算不同器件的開關損耗、導體損耗和溫度上升。您可以選擇并聯(lián)零件的數(shù)量并指定散熱性能。


為了提供盡可能多的選擇,UnitedSiC提供的第四代750V器件共有8個導通電阻性能點,電阻為6至60毫歐。將這些參數(shù)的最適宜的值連同我們所選的條件輸入FET-JET計算器,就會得出下圖以及一些有趣的結果。


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從18毫歐器件(UJ4C075018K4S)到23毫歐器件(UJ4C075023K4S)沒有任何效率降低,因為雖然導電損耗增加了,但是開關損耗的降低幅度更大。然而器件成本比電阻較低的零件節(jié)約了20%。也許33毫歐器件(UJ4C075033K4S)是一個好選擇,它的效率下降0.1%,多損耗36W,但是開關成本降低了40%。在相同散熱條件下,結溫上升6°C左右,但是仍然只有102°C左右。60毫歐器件(UJ4C075060K4S)的成本不到考慮的最佳SiC FET的一半,代價是多損耗22W,結溫達到122°C。可以考慮使用更好的散熱,實現(xiàn)成本與器件類型和升溫之間的權衡,但是在電動車應用中,額外的體積和重量是一個不利因素。


可以考慮其他選項,如兩個60毫歐類型器件并聯(lián),總電阻會減半,同時增加開關損耗,但是降低總體熱阻,從而導致結溫上升幅度較小,且取決于溫度的導通電阻的上升幅度較小。此時,F(xiàn)ET-JET計算器是您的朋友,歡迎在不同導通電阻級別和散熱選項下嘗試多個器件。您甚至可以找到臨界點,在該點,最低損耗組合與較高成本的器件可以切實將散熱降低至一定級別,例如不必使用液冷的級別,目前,液冷成本比額外的開關成本更高。



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