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SiR870DP/Si4190DY:Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2011-03-10 來(lái)源:佳工機(jī)電網(wǎng)

TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DYSiR870DP和Si4190DY的產(chǎn)品特性:

  • 采用新型ThunderFET®技術(shù)
  • SO-8/PowerPAK® SO-8封裝
  • 在4.5V下具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

SiR870DP和Si4190DY的應(yīng)用范圍:

  • 電源

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET®技術(shù),在具有4.5V電壓等級(jí)的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。此外,該器件的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的,該數(shù)值是衡量DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。

SiR870DP在4.5V電壓下的7.8m?導(dǎo)通電阻是業(yè)內(nèi)最低的。這款MOSFET在10V電壓下的導(dǎo)通電阻也非常低,僅有6m?。對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),更低的器件導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,同時(shí)也使節(jié)能的綠色產(chǎn)品減少功耗。

SiR870DP在4.5V電壓下具有低至208 mΩ-nC的FOM,從而能在更高頻率和開關(guān)應(yīng)用中降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。對(duì)于采用SO-8封裝器件的設(shè)計(jì)者,Si4190DY在10V和4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻為8.8m?和12m?,在10V和4.5V下的FOM分別為340 mΩ-nC和220 mΩ-nC,均達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。

近日發(fā)布的器件針對(duì)用于電信的磚式電源和總線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的隔離式DC/DC電源中初級(jí)側(cè)開關(guān)和次級(jí)側(cè)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET能在4.5V電壓下導(dǎo)通,因此各種PWM和柵極驅(qū)動(dòng)IC 都能進(jìn)入到設(shè)計(jì)者的備選之列。而使用5V額定電壓的IC,不但能夠降低柵極驅(qū)動(dòng)損耗,而且由于無(wú)需使用單獨(dú)的12V電源軌,能夠簡(jiǎn)化電源的整體設(shè)計(jì)。

SiR870DP和Si4190DY經(jīng)過(guò)了100%的Rg和UIS測(cè)試。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定,并符合RoHS指令2002/95/EC。

器件規(guī)格表

期間規(guī)格表
 

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