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FDMA6023PZT:飛兆最低RDS(ON) 的20V MicroFET MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-04-27

產(chǎn)品特性:
  • 采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET
  • 能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求
  • 采用延長(zhǎng)電池壽命的技術(shù),實(shí)現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用
  • 采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝
  • 具有出色的熱阻,能提供超卓的功率耗散,并可減少傳導(dǎo)損耗
  • 獲得極低的RDS(ON) 值、柵級(jí)電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD)
  • 顯箸減少傳導(dǎo)損耗和提升開關(guān)性能

應(yīng)用范圍:
  • 便攜應(yīng)用

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET,能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求,采用延長(zhǎng)電池壽命的技術(shù),實(shí)現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝,相比傳統(tǒng)的MOSFET,它具有出色的熱阻,能提供超卓的功率耗散,并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采用飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench® MOSFET工藝技術(shù),獲得極低的RDS(ON) 值、柵級(jí)電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD) — 這些都顯箸減少傳導(dǎo)損耗和提升開關(guān)性能。

FDMA6023PZT 是飛兆半導(dǎo)體全面的 MicroFET MOSFET 產(chǎn)品系列的一員,在應(yīng)對(duì)當(dāng)今功能豐富之便攜應(yīng)用的功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)方面起著關(guān)鍵的作用,該產(chǎn)品系列包括20V P溝道 PowerTrench MOSFET 器件FDMA1027PT,以及帶有肖特基二極管的20V P溝道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。與常用于低壓設(shè)計(jì)的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比,這些產(chǎn)品的面積減小了 55% 而高度則降低達(dá) 50%。

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