產(chǎn)品特性：

• 低達50% 的RDS(ON)
• 出色的品質因數(shù)
• 采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝
•  內(nèi)置增強型軟體二極管，可減小開關噪聲

應用范圍：

• 以太網(wǎng)、刀片服務器和電信應用等

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。

FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進的PowerTrench 工藝技術，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時保持優(yōu)良的開關性能和穩(wěn)健性。相比柵級電荷相同的現(xiàn)有解決方案，這一專有工藝技術提供了業(yè)界最低的RDS (ON) (8 mΩ)，使FDMS86101得以減小導通損耗，而不會受到較高柵級電荷的影響。以太網(wǎng)、刀片服務器和電信應用正逐漸從12V轉向48V電源，對于優(yōu)化開關效率的需求變得越來越重要。

PowerTrench MOSFET 內(nèi)置增強型軟體 (soft-body) 二極管，可以減小開關噪聲并降低應用的EMI 敏感性。這項功能可以節(jié)省線路板空間和減少組件數(shù)目，而許多替代解決方案卻需要加入一個緩沖器網(wǎng)絡才能減小開關噪聲尖峰。

FDMS86101是飛兆半導體全面的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一員，能夠滿足當今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實現(xiàn)更高的能效。飛兆半導體性能先進的PowerTrench MOSFET工藝技術能夠實現(xiàn)非常低的米勒電荷(QGD)、RDS(on) 和總柵極電荷 (QG)，從而獲得出色的開關性能和熱效率。

單價 (訂購1000個)： 1.55美元
供貨：現(xiàn)提供樣品
交貨期：8至10周