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PD暗電流的測試小技巧

發(fā)布時間:2020-07-24 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】隨著新基建概念的提出,5G和數(shù)據(jù)中心的建設(shè)在2020年進(jìn)入快車道,海量的光模塊需求引領(lǐng)著行業(yè)的更新?lián)Q代,對光器件提出了更高的要求。在光通信測試領(lǐng)域,也將迎來很多挑戰(zhàn)。
    
隨著新基建概念的提出,5G和數(shù)據(jù)中心的建設(shè)在2020年進(jìn)入快車道,海量的光模塊需求引領(lǐng)著行業(yè)的更新?lián)Q代,對光器件提出了更高的要求。在光通信測試領(lǐng)域,也將迎來很多挑戰(zhàn)。
 
共同面對未來挑戰(zhàn),泰克將推出一系列關(guān)于光通信測試的技術(shù)文章,本篇為第一講,為您講解關(guān)于無源器件的PD暗電流測試問題。本文作者是來自泰克代理商“柯泰測試”的一位工程師朋友段工,他偶然聽見幾個搞光電的小伙伴在掰扯PD暗電流以及如何測試的問題,正好想分享一些這方面的經(jīng)驗和理解。
 
暗電流,維基百科的解釋是:當(dāng)沒有光子通過光感測器(例如光電倍增管、光電二極管及感光耦合元件)時,元件上仍然會產(chǎn)生的微小電流。在非光學(xué)元件中稱為逆向偏壓時的漏電流,在所有二極管中都存在。暗電流形成的原因是元件中耗盡層中電子以及空穴隨機(jī)產(chǎn)生所造成的。
 
PD暗電流的測試小技巧
 
這個解釋有幾個重點(diǎn):1) 無光環(huán)境、反向偏壓、漏電流;2)任何二極管都存在暗電流;3)暗電流屬于元件的熱噪聲,隨機(jī)產(chǎn)生、無法消除。通俗一點(diǎn):首先,這個電流并非來自外界的光子產(chǎn)生的,而是來自元件內(nèi)部的熱噪聲;其次,任何二極管都有一個理論特性即正向?qū)?、反向截止,但現(xiàn)實中的二極管元件,反向不可能做到真正的截止(反向飽和電流為0),最后暗電流是沒辦法完全消除,只能通過TEC或者液氮降溫的方式來減小。
 
一般來說暗電流都很小,基本都在uA和nA量級,而在工業(yè)領(lǐng)域,暗電流測試屬于必測項,該測試指標(biāo)主要是用來判斷二極管元件是否擊穿以及晶圓工藝是否存在問題。那這么小的暗電流,我們該如何準(zhǔn)確、可靠的測量呢?有人說用一般的萬用表或者安培表就可以了,真的可以嗎?
 
乘風(fēng)破浪的姐姐們都很拼很努力,一幀一幀地?fù)讣?xì)節(jié),再累再苦再折磨也要堅持練到完美。工程師的日常更是挑戰(zhàn)不斷,任何細(xì)節(jié)bug都成為前進(jìn)的絆腳石。其實小電流的測試并沒有說的那么簡單,還是需要克服很多難點(diǎn),這里簡單列舉最主要的幾個難點(diǎn)。
 
難點(diǎn)1:如何克服電流表帶來的輸入端壓降?
 
萬用表測量mA以上的電流時,電流表的內(nèi)阻基本可以忽略不計,但小電流的量級基本都在uA甚至nA級別,此時電流表的內(nèi)阻就不能忽略不計了,而電流表內(nèi)阻會帶來壓降,這個壓降就稱之為“輸入端壓降(voltage burden)”,這個指標(biāo)的大小直接會影響電流的測量精度:
 
 PD暗電流的測試小技巧
 
舉個例子:假設(shè)Vs=0.7V、Is=100uA、Ifs=200uA、Rs=10KΩ、然后輸入端壓降為200mV:
 
那計算出來IM=(0.7V-0.2V(100uA/200uA))/10KΩ= 60uA
 
而理想情況下IM=0.7/10KΩ=70uA,則測試誤差=14%;
 
如果把輸入端壓降減小到200uV,  那整個測試IM=69.99uA  則測試誤差=0.01%;
 
結(jié)論:通過上面一個簡單的例子就可以說明,電流表的輸入端壓降會直接影響電流表的測量精度,輸入端壓降越大,電流的測量誤差就越大,而輸入端壓降越小,測量誤差就越小。
 
難點(diǎn)2:如何在測量電流時添加一個合適的反向偏壓?
 
常用的萬用表都只能解決測量的問題,但目前很多暗電流的測試都需要提供一個反向偏壓(Bias Voltage),為什么要加偏壓?一方面偏壓可以加速電子和空穴的遷移過程,減少電子和空穴的復(fù)合率,從而提高量子效率和響應(yīng)時間;但是反向電壓也不能無限制的增加,過大的偏壓有可能會導(dǎo)致二極管的反向擊穿等;另一方面,很多二極管屬于雪崩二極管如APD,它們本身需要一定的偏壓才能達(dá)到工作條件,形成雪崩效應(yīng),縱觀目前的電流表和萬用表,都不具備提供偏壓的功能,因此必須在電流表的回路中加入電壓源,這樣會使測試系統(tǒng)變得復(fù)雜,引入更多干擾條件,導(dǎo)致整個暗電流的測試精度無法保證。
 
那相關(guān)行業(yè)(如LED/PD行業(yè))在暗電流(帶偏壓)測試上都采用什么設(shè)備來進(jìn)行測試呢?通過對幾個行業(yè)的調(diào)研和走訪,發(fā)現(xiàn)目前暗電流測試主要有兩種選擇:
 
(1)SMU源測單元。一方面利用它的電壓源功能,可以完成反向偏壓的掃描,另一方面同時利用它的測量功能,完成小電流的測試,這個方案的優(yōu)點(diǎn)是電壓掃描范圍大,最高可到幾百伏,而電流的測量功能也能基本滿足nA級別的測試要求,缺點(diǎn)則是SMU的單價比較高,相對而言性價比就沒那么高了。
 
PD暗電流的測試小技巧
Keithley SMU 2600
 
(2)高精度的DMM或者皮安表。這兩個產(chǎn)品都屬于測量設(shè)備,可以用于暗電流測試,電流的測試精度甚至可以達(dá)到pA級別,產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)是價格適中,測量精度較高;但這兩個產(chǎn)品的缺點(diǎn)是:1)無法提供偏壓,只能完成無偏壓環(huán)境下的暗電流測試;2)高精度萬用表的輸入端壓降比較高,會影響小電流的測試精度。
 
PD暗電流的測試小技巧
Keithley DMM 7510
 
目前5G大基建如火如荼,光通信行業(yè)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,帶寬和速度越來越快,不管是無源的光網(wǎng)絡(luò)如FTTx、光纖光纜,還是有源的光收發(fā)模塊、光芯片等等都對PD端的靈敏度提出了越來越高的要求,那么,靈敏度的提升必然對暗電流的要求也越來越苛刻,通過查閱很多規(guī)格書,相當(dāng)一部分的暗電流測試的要求都明確要求暗電流≤1nA,有的甚至要求≤幾百pA,同時偏壓要求在5-15V之間,有的電壓要求≥100V, 這對于DMM和皮安表來說基本無能為力。
 
PD暗電流的測試小技巧
Keithley 6485
 
那到底有沒有一款既可以提供偏壓掃描,又能進(jìn)行小電流測試的儀表呢?答案是有的,比如吉時利的6487就可以實現(xiàn)。我們先看下這個帶偏壓皮安表的幾個重要指標(biāo):
 
●  10 fA resolution
●   <200uV burden voltage
●   支持電壓掃描和Analog output
● 掃描電壓范圍0-505V;
 
對于1、2和4三項指標(biāo)而言,完全滿足了文章前面提到的暗電流測試的要求,而且電壓源支持同步掃描并>100V,同時帶模擬輸出功能,不僅能描繪I-V曲線、測試高阻器件,還可以應(yīng)用到fiber alignment以及PD on-wafer測試等光電典型應(yīng)用中。
 
 PD暗電流的測試小技巧
PD On-Wafer Testing
 
 PD暗電流的測試小技巧
High Resistance Testing
 
如果你正好要對二極管或者PD做暗電流的測試和評估,或者你在做光纖耦合或者PD on-wafer測試等相關(guān)的行業(yè)應(yīng)用,推薦了解一下Keithley的6487或者6482/2502(雙通道)的帶偏壓皮安表。
 
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