MOS管的G、S、D三個(gè)引腳解析
發(fā)布時(shí)間:2018-10-18 責(zé)任編輯:xueqi
【導(dǎo)讀】MOS管熱釋電紅外傳感器的感應(yīng)窗口,G腳為接地端,D腳為內(nèi)部MOS管漏極,S腳為內(nèi)部MOS管源極。在電路中,G接地,D接電源正,紅外信號(hào)從窗口輸入,電信號(hào)從S輸出。
G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。
這是MOS管熱釋電紅外傳感器,那個(gè)矩形框是感應(yīng)窗口,G腳為接地端,D腳為內(nèi)部MOS管漏極,S腳為內(nèi)部MOS管源極。在電路中,G接地,D接電源正,紅外信號(hào)從窗口輸入,電信號(hào)從S輸出。
判斷柵極G
MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭,在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠,將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間。
將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大,并且交換表筆后仍為無(wú)限大,則證實(shí)此腳為G極,由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
判斷源極S、漏極D
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同,測(cè)出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。
關(guān)于MOS管
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
無(wú)論N型或者P型MOS管,其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會(huì)發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng),因此在開關(guān)應(yīng)用中,MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。
場(chǎng)效應(yīng)管的名字也來源于它的輸入端(稱為gate)通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
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