防反接保護(hù)電路

如果逆變器沒有防反接電路，在輸入電池接反的情況下往往會造成災(zāi)難性的后果，輕則燒毀保險絲，重則燒毀大部分電路。在逆變器中防反接保護(hù)電路主要有三種：反并肖特基二極管組成的防反接保護(hù)電路，如圖1所示。

由圖1可以看出，當(dāng)電池接反時，肖特基二極管D導(dǎo)通，F(xiàn)被燒毀。如果后面是推挽結(jié)構(gòu)的主變換電路，兩推挽開關(guān)MOS管的寄生二極管的也相當(dāng)于和D并聯(lián)，但壓降比肖特基大得多，耐瞬間電流的沖擊能力也低于肖特基二極管D，這樣就避免了大電流通過MOS管的寄生二極管，從而保護(hù)了兩推挽開關(guān)MOS管。

這種防反接保護(hù)電路結(jié)構(gòu)簡單，不會影響效率，但保護(hù)后會燒毀保險絲F，需要重新更換才能恢復(fù)正常工作。

采用繼電器的防反接保護(hù)電路，基本電路如圖2：

由圖中可以看出，如果電池接反，D反偏，繼電器K的線圈沒有電流通過，觸點不能吸合，逆變器供電被切斷。這種防反接保護(hù)電路效果比較好，不會燒毀保險絲F，但體積比較大，繼電器的觸點的壽命有限。

采用MOS管的防反接保護(hù)電路，基本電路如下圖3： 圖3中D為防反接MOS的寄生二極管，便于分析原理畫出來了。當(dāng)電池極性未接反時，D正偏導(dǎo)通，Q的GS極由電池正極經(jīng)過F、R1、D回到電池負(fù)極得到正偏而導(dǎo)通。Q導(dǎo)通后的壓降比D的壓降小得多，所以Q導(dǎo)通后會使D得不到足夠的正向電壓而截至；

當(dāng)電池極性接反時，D會由于反偏而截至，Q也會由于GS反偏而截至，逆變器不能啟動。這種防反接保護(hù)電路由于沒有采用機械觸點開關(guān)而具有比較長的使用壽命，也不會像反并肖特基二極管組成的防反接保護(hù)電路那樣燒毀保險絲F.因而得到廣泛應(yīng)用，缺點是MOS導(dǎo)通時具有一定的損耗。足夠暢通無阻地通過比較大的電流還保持比較低的損耗。
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電池欠壓保護(hù)

為了防止電池過度放電而損壞電池，我們需要讓電池在電壓放電到一定電壓的時候逆變器停止工作，需要指出的一點是，電池欠壓保護(hù)太靈敏的話會在啟動沖擊性負(fù)載時保護(hù)。這樣逆變器就難以起動這類負(fù)載了，尤其在電池電量不是很充足的情況下。請看下面的電池欠壓保護(hù)電路。

可以看出這個電路由于加入了D1、C1能夠使電池取樣電壓快速建立，延時保護(hù)。

逆變器的過流短路保護(hù)電路的設(shè)計：

大家知道，逆變器的過流短路保護(hù)電路在逆變器的安全中是至關(guān)重要的，如果沒有過流短路保護(hù)逆變器很可能會因為過流短路而燒毀。

下面先來分析一下負(fù)載的特性，現(xiàn)實生活中的負(fù)載大多數(shù)是沖擊性負(fù)載，例如熾燈泡，在冷態(tài)時的電阻要比點亮?xí)r低很多，像電腦，電視機等整流性負(fù)載，由于輸入的交流電經(jīng)過整流后要用一個比較大的電容濾波，因而沖擊電流比較大。還有冰箱等電機感性負(fù)載，電機從靜止到正常轉(zhuǎn)動也需要用電力產(chǎn)生比較大的轉(zhuǎn)矩因而起動電流也比較大。

如果我們的逆變器只能設(shè)定一個能長期工作的額定輸出功率的話，在起動功率大于這個額定輸出功率的負(fù)載就不能起動了，這就需要按照起動功率來配備逆變器了，這顯然是一種浪費。實際中，我們在設(shè)計過流短路保護(hù)電路時我們會設(shè)計兩個保護(hù)點，額定功率和峰值功率。一般峰值功率設(shè)定為額定功率2-3倍。時間上額定功率是長時間工作不會保護(hù)的，峰值功率一般只維持到幾秒就保護(hù)了。下面以過流短路保護(hù)電路為例講解下：

R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，我們可以這么理解，高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以我們用R5檢測高壓電流的大小。圖5中LM339的兩個比較器單元我們分別用來做過流和短路檢測。

先看由IC3D及其外圍元件組成的過流保護(hù)電路，IC3D的8腳設(shè)定一個基準(zhǔn)電壓，由R33、VR4、R56、R54分壓決定其值U8=5*（R33+VR4）/（R33+VR4+R56+R54）。當(dāng)R5上的電壓經(jīng)過R24、C17延時后超過8腳電壓14腳輸出高電平通過D7隔離到IC3B的5腳。4腳兼做電池欠壓保護(hù)，正常時5腳電壓低于4腳，過流后5腳電壓高于4腳，2腳輸出高電平控制后級的高壓MOS關(guān)斷，當(dāng)然也可以控制前級的MOS一起關(guān)斷。D8的作用是過流短路或電池欠壓后正反饋鎖定2腳為高電平。

再看IC3C組成的短路保護(hù)電路，原理和過流保護(hù)差不多，只是延時的時間比較短，C19的容量很小，加上LM339的速度很快，可以實現(xiàn)短路保護(hù)在幾個微秒內(nèi)關(guān)斷，有效地保護(hù)了高壓MOS管的安全。順便說的一點是短路保護(hù)點要根據(jù)MOS管的ID，安全區(qū)域和回路雜散電阻等參數(shù)設(shè)計。一般來說電流在ID以內(nèi)，動作時間在30微秒以內(nèi)是比較安全的。
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IGBT的驅(qū)動和短路保護(hù)

IGBT作為一種新型的功率器件，具有電壓和電流容量高等優(yōu)點，開關(guān)速度遠(yuǎn)高于雙極型晶體管而略低于MOS管，因而廣泛地應(yīng)用在各種電源領(lǐng)域里，在中大功率逆變器中也得到廣泛應(yīng)用。

IGBT的缺點，一是集電極電流有一個較長時間的拖尾——關(guān)斷時間比較長，所以關(guān)斷時一般需要加入負(fù)的電壓加速關(guān)斷；二是抗DI/DT的能力比較差，如果像保護(hù)MOS管一樣在很大的短路電流的時候快速關(guān)斷MOS管極可能在集電極引起很高的DI/DT，使UCE由于引腳和回路雜散電感的影響感應(yīng)出很高的電壓而損壞。

IGBT的短路保護(hù)一般是檢測CE極的飽和壓降實現(xiàn)，當(dāng)集電極電流很大或短路時，IGBT退出飽和區(qū)，進(jìn)入放大區(qū)。上面說過這時我們不能直接快速關(guān)斷IGBT，我們可以降低柵極電壓來減小集電極的電流以延長保護(hù)時間的耐量和減小集電極的DI/DT。如果不采取降低柵極電壓來減小集電極的電流這個措施的話2V以下飽和壓降的IGBT的短路耐量只有5μS。3V飽和壓降的IGBT的短路耐量大約10-15μS，4-5V飽和壓降的IGBT的短路耐量大約是30μS。

還有一點，降柵壓的時間不能過快，一般要控制在2μS左右，也就是說為了使集電極電流從很大的短路電流降到過載保護(hù)的1.2-1.5倍一般要控制在2μS左右，不能過快，在過載保護(hù)的延時之內(nèi)如果短路消失的話是可以自動恢復(fù)的，如果依然維持在超過過載保護(hù)電流的話由過載保護(hù)電路關(guān)斷IGBT。

所以IGBT的短路保護(hù)一般是配合過載保護(hù)的，下面是一個TLP250增加慢降柵壓的驅(qū)動和短路保護(hù)的應(yīng)用電路圖： 圖6中電路正常工作時，ZD1的負(fù)端的電位因D2的導(dǎo)通而使ZD1不足以導(dǎo)通Q1截止；D1的負(fù)端為高電平所以Q3也截止。C1未充電，兩端的電位為0。IGBTQ3短路后退出飽和狀態(tài)，集電極電位迅速上升，D2由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止。當(dāng)驅(qū)動信號為高電平時，ZD1被擊穿，C2能夠使Q1的開通有一小段的延時，使得Q3導(dǎo)通時可以有一小段的下降時間，避免了正常工作時保護(hù)電路的誤保護(hù)。ZD1被擊穿后Q1由于C2的存在經(jīng)過一段很短的時間后延時導(dǎo)通，C1開始通過R4、Q1充電，D1的負(fù)端電位開始下降，當(dāng)D1的負(fù)端電位開始
下降到D1與Q3be結(jié)的壓降之和時Q3開始導(dǎo)通，Q2、Q4基極電位開始下降，Q3的柵極電壓也開始下降。當(dāng)C1充電到ZD2的擊穿電壓時ZD2被擊穿，C1停止充電，降柵壓的過程也結(jié)束，柵極電壓被鉗位在一個固定的電平上。Q3的集電極電流也被降低到一個固定的水平上。

本篇文章從防反接、IGBT驅(qū)動和短路、電池欠壓等三個方面講解了逆變電源中保護(hù)電路，通過對這三種保護(hù)形勢的講解，希望能夠幫助大家逆變電源中的保護(hù)電路有進(jìn)一步的了解和認(rèn)識，從而方便自己的設(shè)計。

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