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MOSFET性能改進(jìn):超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOS)

發(fā)布時(shí)間:2021-12-08 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】如果是D-MOS的情況,電場(chǎng)強(qiáng)度在P/N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)硅的極限時(shí),會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象,這就是電壓極限。另一方面,如果是SJ-MOS的情況,電場(chǎng)強(qiáng)度在N層中是均勻的。


如果是D-MOS的情況,電場(chǎng)強(qiáng)度在P/N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)硅的極限時(shí),會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象,這就是電壓極限。另一方面,如果是SJ-MOS的情況,電場(chǎng)強(qiáng)度在N層中是均勻的。


(1)SJ-MOS在N層具有柱狀P層(P柱層)。P層和N層交替排列。(參見(jiàn)圖3-9(b))


(2)通過(guò)施加VDS,耗盡層在N層中擴(kuò)展,但其在SJ-MOS中的擴(kuò)展方式與在一般D-MOS中不同。(關(guān)于電場(chǎng)強(qiáng)度,參見(jiàn)圖3-9(a)/(b)。電場(chǎng)強(qiáng)度將表示耗盡層的狀態(tài)。


(3)如果是D-MOS的情況,電場(chǎng)強(qiáng)度在P/N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)硅的極限時(shí),會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象,這就是電壓極限。另一方面,如果是SJ-MOS的情況,電場(chǎng)強(qiáng)度在N層中是均勻的。


(4)所以,SJ-MOS可采用具有較低電阻的N層設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。

采用與DMOS相同尺寸的芯片,SJ-MOS可以實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。


MOSFET性能改進(jìn):超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOS)

圖3-9(a)D-MOS(π-MOS)的結(jié)構(gòu)和電場(chǎng)


MOSFET性能改進(jìn):超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOS)

圖3-9(b)SJ-MOS(DTMOS)的結(jié)構(gòu)和電場(chǎng)


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