我們已聽到我們的行業(yè)代言人宣布，“GaN將迎來黃金發(fā)展時間。”這一公告似乎在暗示，GaN已準備好出現(xiàn)在廣大聽眾、用戶或為數(shù)眾多的應(yīng)用面前。這也表明，GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟，不能認為它是一個有問題的技術(shù)。我會讓您自己決定哪些東西是正確的。

 

因此，當我說“GaN已為數(shù)字電源控制做好準備”時，您懂我的意思嗎？測試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發(fā)過程。多數(shù)情況下，電源設(shè)計人員使用數(shù)字控制來演示GaN應(yīng)用。這可能是因為數(shù)字化控制的靈活性較好，能夠讓設(shè)計人員精確控制開關(guān)波形。也可能是數(shù)字控制可以提供克服任意GaN缺點的多個控制回路和保護電路。

 

我認為，“GaN已為數(shù)字電源控制做好準備”的含義比我上述提到的更豐富，但它也意味著數(shù)字控制也做好準備迎接GaN。對于做好準備迎接GaN的數(shù)字電源控制來講，它需要時間基分辨率、采樣分辨率和計算馬力用于更高的開關(guān)頻率、更窄的占空比和精確的死區(qū)時間控制。圖1和2所示為硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時間。圖中數(shù)字顯示死區(qū)時間存在兩倍的差異，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細的邊緣控制非?？扇?。

 

GaN可在無需支付后續(xù)費用的情況下增大開關(guān)頻率。利用這一優(yōu)點，可以在功率級中縮小無源元件尺寸，并加快瞬變響應(yīng)速度。但是，要對這些較高頻率進行所需的控制，控制電路速度必須更快。例如，采樣和轉(zhuǎn)換時間需要足夠快，才不會限制占空比寬度或相位延遲。此外，接下來針對控制工作的計算需要足夠快，以不限制開關(guān)速度。對于如今頻率大于1MHz的開關(guān)電源，需要在少數(shù)100ns中完成采樣和轉(zhuǎn)換。計算延遲也必須處于這一范圍。

 

幸運的是，多年來，我們生產(chǎn)的數(shù)字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數(shù)字電源控制器都能滿足這些需求，但是至少電源設(shè)計人員有選擇權(quán)。

 

因此，GaN為數(shù)字電源控制做好準備了嗎？我們得到的答案更多是數(shù)字電源控制已準備好迎接GaN。因此，隨著GaN繼續(xù)開發(fā)，并應(yīng)用于高密度和高性能電源解決方案，我們不必等待開發(fā)控制器時要借助GaN帶給行業(yè)的優(yōu)勢。因此，這就是“準備就緒”的含義：它是指“現(xiàn)在就開始”。

 

您對這個問題有什么看法呢？

 

圖1：諧振LLC硅MOSFET死區(qū)時間

 

圖2：LLC GaN MOSFET死區(qū)時間

 

 

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